硅衬底LED获国家科技奖靠的是实力并非财区域

意料之中， 硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管 项目正式荣获2015年度国家科学技术奖技术发明一等奖。十年磨一剑，硅衬底终于迈向了新征程，其大规模化应用指日可待。

项目主要完成人：联合创始人、南昌大学副校长江风益教授（中），晶能光电副总裁孙钱博士（右），晶能光电联合创始人、CEO及晶和照明创始人王敏博士（左）

为什么硅衬底技术能独霸国家技术发明奖呢？由于生产技术难度大，硅衬底从一开始就饱受争议，并不被业界看好。而此次获奖，意味着硅衬底的技术瓶颈几近突破，同时也给硅衬底的市场发展释放了极大的信号，前景可观。有产业经济学家表示，在成本持续下降的背景下，硅衬底技术如若能获得资本大力追捧，LED产业格局有望被重塑。

技术突破

与蓝宝石衬底生长水平相当

我们采用新一代的应力调控技术消除了硅衬底上外延生长GaN薄膜易产生裂纹的难题，而且有效过滤了位错等缺陷，GaN的晶体质量与蓝宝石平片衬底上生长的水平相当。

在硅基GaN的材料平台上，我们研发了高效的量子阱生长技术与P型掺杂技术。硅基GaN的LED的芯片制备采用了垂直结构，具体包括高效反射镜、及氮面粗化技术，显著提高了LED的取光效率。

此外，我们还针对硅基GaN的薄膜特点，开发了陶瓷封装和直接白光芯片技术。总体来说，四年来我们从外延、芯片到封装整个链条都开发了一套全新的硅基GaN蓝、白光LED技术。 此次项目的主要参与人之一晶能光电(江西)硅基LED研发副总裁孙钱博士在接受采访时如是表示。